[实用新型]半导体装置无效
| 申请号： | 200420084786.1 | 申请日： | 2004-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN2731706Y | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 曾伟雄;庄平;涂宏荣;王静亚;林俞良;罗冠腾;周梅生 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型揭示一种整合蚀刻后续清洁制程(post－etching cleaningprocess)与沉积制程所形成的半导体装置，其包括一基底、一低介电常数材料层、以及一内联机结构。低介电常数材料层是设置于基底上方，其具有至少一镶嵌开口位于被一超临界流体所清洁过的一区域中。内联机结构设置于镶嵌开口内，且其是于实施清洁制程之后，利用超临界流体作为一反应媒介且利用一有机金属错合物作为一沉积前驱物而临场(in－situ)形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基底；一低介电常数材料层，设置于该基底上方，其具有至少一镶嵌开口位于被一超临界流体所清洁过的一区域中；以及一内联机结构，设置于该镶嵌开口内，且其是于实施清洁制程之后，利用该超临界流体作为一反应媒介且利用一有机金属错合物作为一沉积前驱物而临场形成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200420084786.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：插座连接器
- 下一篇：一种可在轿内打开轿顶的电梯轿厢
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
