[实用新型]半导体结构无效
| 申请号： | 200420084136.7 | 申请日： | 2004-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN2779620Y | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 葛崇祜;王昭雄;黄健朝;李文钦;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王燕秋 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包含具有不同应力的第一半导体材料层与第二半导体材料层。利用第一半导体材料层与第二半导体材料层的堆栈搭配，在第一半导体材料层与第二半导体材料层分别压缩与伸张或伸张与压缩下，用来调节半导体元件中的通道应力，从而形成受应变的通道。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构，其特征在于，至少包括：至少一第一半导体材料层；以及至少一第二半导体材料层位于该第一半导体材料层上，其中该第一半导体材料层与该第二半导体材料层具有不同性质的应力，并且该第一半导体材料层与该第二半导体材料层相互堆栈，借以在该第一半导体材料层与该第二半导体材料层分别压缩与伸张或伸张与压缩的情况下，互相牵制造成应变。
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