[实用新型]铜金属镶嵌结构无效
| 申请号： | 200420066762.3 | 申请日： | 2004-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN2731711Y | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 吴振诚;卢永诚;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王燕秋 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种铜金属镶嵌结构，先在基材上依序形成介电层与蚀刻终止层，再于介电层与蚀刻终止层中形成金属插塞。接着，形成另一介电层于蚀刻终止层上，定义出后续形成铜金属层的开口结构。随后，形成介电阻障层于开口中，并利用回蚀刻将开口底部的部分介电阻障去除，以暴露出金属插塞。再形成铜金属层于开口中。上述制程于开口中暴露金属插塞的同时，暴露出蚀刻终止层。因此，此结构中的铜金属与金属插塞以及蚀刻终止层接触，而不会与介电层接触，所以可改善铜金属的扩散现象。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 镶嵌 结构 | ||
【主权项】：
1.一种铜金属镶嵌结构，其特征在于，该结构至少包括：一基材；一位于该基材上的第一介电层；一位于该第一介电层上的沉积层；至少一位于该沉积层与该第一介电层中的金属插塞；一位于该沉积层上的第二介电层；至少一位于该第二介电层中的铜金属层，该铜金属层的底部与该金属插塞接触；以及一位于该铜金属层的两侧侧壁的阻障层。
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