[实用新型]偏置电路

摘要

提供一种偏置电路，包括公共场效应管，其漏极连接于高电位，栅极连接于低电位，还包括多个晶体管电路，其中每个包括：第一晶体管，其集电极连接于外部电路；第二晶体管，其基极连接于第一晶体管的基极和第二晶体管的集电极；第三晶体管，其集电极连接于第二晶体管的发射极，基极连接于第一晶体管的发射极；第四晶体管，其集电极连接于第一晶体管的发射极，基极连接于第二晶体管的发射极；以及跨接于第三晶体管的发射极和第四晶体管的发射极之间的电阻，每个第二晶体管的集电极共同连接于公共场效应管的源极，每个第三晶体管的发射极共同连接于低电压。采用了以上偏置电路后，无须改变外围器件布局，但其温度性能和通道隔离度都有比较好的改善。

主权项

1.一种偏置电路，包括公共场效应管，其中公共场效应管的漏极连接于一高电位，公共场效应管的栅极连接于一低电位，其特征在于所述偏置电路还包括多个晶体管电路，其中每个晶体管电路包括：第一晶体管，第一晶体管的集电极连接于外部电路；第二晶体管，第二晶体管的基极连接于第一晶体管的基极和第二晶体管的集电极；第三晶体管，第三晶体管的集电极连接于第二晶体管的发射极，第三晶体管的基极连接于第一晶体管的发射极；第四晶体管，第四晶体管的集电极连接于第一晶体管的发射极，第四晶体管的基极连接于第二晶体管的发射极；以及一电阻，跨接于第三晶体管的发射极和第四晶体管的发射极之间，其中，每个晶体管电路的第二晶体管的集电极共同连接于公共场效应管的源极，并且每个晶体管电路的第三晶体管的发射极共同连接于所述低电压。