[实用新型]可去除半导体晶片表面铜氧化物及水气的系统无效
| 申请号： | 200420050779.X | 申请日： | 2004-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN2701069Y | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 林俊贤;罗冠腾;刘埃森;林俞良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/302;H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种可去除半导体晶片表面铜氧化物及水气的系统，其包括：超临界二氧化碳装置，提供超临界二氧化碳流体；反应前处理装置，添加助溶剂于所述超临界二氧化碳流体中及用以提升添加有助溶剂的超临界二氧化碳流体温度；反应腔体，提供一半导体晶片与添加有助溶剂并已提升温度的超临界化二氧化碳流体反应的空间，用以去除半导体晶片表面铜氧化物及水气。终点侦测器，与所述反应腔体连接以侦测半导体晶片的反应终点；以及回收装置，收集来自终点侦测器及超临界二氧化碳装置的流体。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 半导体 晶片 表面 氧化物 水气 系统 | ||
【主权项】：
1.一种可去除半导体晶片表面铜氧化物及水气的系统，其特征在于，包括：可提供超临界二氧化碳流体的超临界二氧化碳装置；可向所述超临界二氧化碳流体中添加助溶剂及用以提升添加有助溶剂的超临界二氧化碳流体温度的反应前处理装置，与所述超临界二氧化碳装置的流体出口相连接；以及入口与所述反应前处理装置的出口相连接的反应装置，其中设置有供半导体晶片与超临界化二氧化碳流体反应的反应腔体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200420050779.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种改良的环保型音频控制电线
- 下一篇：自排液输液瓶
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
