[实用新型]半导体组件无效
| 申请号： | 200420050741.2 | 申请日： | 2004-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN2718786Y | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 杨育佳;杨富量;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型是关于一种半导体组件，其结构包括：一累积模式(accumulation mode)多重闸晶体管，其中上述累积模式多重闸晶体管包括：至少一半导体鳍部，位于一绝缘层上，其中该半导体鳍部分别含有具有第一掺杂类型之一源极、一汲极以及一沟道区；一闸介电层，位于上述沟道区上；以及一多重闸电极，于上述闸介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体组件，其特征是包括：一累积模式多重闸晶体管，其中该累积模式多重闸晶体管包括：至少一半导体鳍部，位于一绝缘层上，其中该半导体鳍部分别含有具有第一掺杂类型的一源极、一漏极以及一沟道区；一闸介电层，位于该沟道区上；以及一多重闸电极，于该闸介电层上。
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