[实用新型]多重栅极结构无效
| 申请号： | 200420049601.3 | 申请日： | 2004-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN2692841Y | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | 陈豪育;杨育佳;杨富量 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型是关于一种多重栅极结构，包括：多个鳍型半导体层，沿一第一方向大体平行地排列，且由多个位于一绝缘层上的绝缘台地所支撑，其中上述鳍型半导体层的底面大于与其与绝缘台地的接触面；以及一栅极导电层，沿一第二方向延伸且覆盖于上述鳍型半导体层的部分表面上，且于栅极导电层与其所覆盖的上述鳍型半导体层之间更设置有一栅极介电层，其中此栅极介电层更包覆于该栅极导电层所覆盖部分表面内的此等鳍型半导体层的底面。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 栅极 结构 | ||
【主权项】：
1.一种多重栅极结构，其特征在于包括：多个鳍型半导体层，沿一第一方向平行地排列，且由多个位于一绝缘层上的绝缘台地所支撑，其中该鳍型半导体层的底面大于与该绝缘台地的接触面；以及一栅极导电层，沿一第二方向延伸且覆盖于该鳍型半导体层的部分表面上，且于该栅极导电层与其所覆盖的该鳍型半导体层之间更设置有一栅极介电层，其中该栅极介电层更包覆于该栅极导电层所覆盖部分表面内的该鳍型半导体层的底面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200420049601.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
