[实用新型]具应变通道的互补式金氧半导体

摘要

本实用新型揭示一种具应变通道的互补式金氧半导体，主要包括：一半导体基底、设置于上述半导体基底内的多个沟槽隔离区、一氮化物衬垫层、一离子布植氮化物衬垫层、一N型通道晶体管以及一P型通道晶体管。其中，相邻两沟槽隔离区之间各定义出一主动区，主动区包括一N型主动区与一P型主动区。另外，氮化物衬垫层，顺应性设置于上述N型主动区两侧的上述沟槽隔离区与上述半导体基底之间。再者，离子布植氮化物衬垫层，顺应性设置于上述P型主动区两侧的沟槽隔离区与半导体基底之间。并且，N型通道晶体管，设置于N型主动区上方。以及，P型通道晶体管，设置于P型主动区上方。

主权项

1.一种具应变通道的互补式金氧半导体，其特征在于所述互补式金氧半导体包括：一半导体基底；多个沟槽隔离区，设置于上述半导体基底内，使得相邻两上述沟槽隔离区之间各定义出一主动区，其中上述主动区包括一N型主动区与一P型主动区；一氮化物衬垫层，顺应性设置于上述N型主动区两侧的上述沟槽隔离区与上述半导体基底之间；一N型通道晶体管，设置于上述N型主动区上方；以及一P型通道晶体管，设置于上述P型主动区上方。