[实用新型]传输承载晶片的高纯碳化硅弧形部件无效
| 申请号： | 200420042106.X | 申请日： | 2004-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN2743967Y | 公开（公告）日： | 2005-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈刚;刘定冕;刘磊磊 | 申请（专利权）人： | 西安希朗材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/00;B65G49/07 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710075陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种传输承载晶片的高纯碳化硅弧形部件，属于半导体器件制造过程氧化、扩散、LPCVD工艺中晶片的传输承载部件。技术特征在于：采用碳化硅材料制成、结构形状为弧形主体且根据情况可以提供大尺寸的传输承载部件。在一个用碳化硅材料做成的弧形主体的内部两端刻槽，晶片放在弧形主体内部或插在弧形主体内部刻槽两个以上。有益效果是，可实现大尺寸传输承载部件，增加了单位长度内晶片的承载量。由于没有高温蠕变现象，晶片可以紧密地排列在部件内，可实现晶片与晶舟内弧紧密配合有利于稳定传输，且在高温无变形粘结现象。碳化硅材料耐化学腐蚀，使用寿命与石英玻璃、单晶硅、多晶硅提高了50～100倍，降低了半导体器件制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 传输 承载 晶片 高纯 碳化硅 弧形 部件 | ||
【主权项】：
1、一种传输承载晶片的高纯碳化硅弧形部件，其特征在于：在一个用碳化硅材料做成的弧形主体(2)的内部两端刻槽(4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安希朗材料科技有限公司，未经西安希朗材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200420042106.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种指针式仪表指针拔取器
- 下一篇：组合梳篦
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
