[发明专利]避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法与设备无效
| 申请号： | 200410104675.7 | 申请日： | 2004-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1797703A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 黄尧民;龚诗钦;林中源;何鸿钧;廖禄立 | 申请（专利权）人： | 美律实业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法，包含有下列步骤：制作一硅微细结构，其具有一基板，其上具有一结构层，该结构层具有一已被释放的释放部；将该硅微细结构放置于一充满顺磁性的气体的气室中，以及提供一磁场作用于该气体。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 微细 结构 中的 释放 发生 粘着 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种避免硅微细结构中的结构层被释放后发生粘着的方法，其特征在于，包含有下列步骤：制作一硅微细结构，其具有一基板，其上具有一结构层，该结构层具有一需已被释放的释放部；提供一具有顺磁性的气体于该结构层的已释放部与该基板之间，以及提供一磁场作用于该气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
