[发明专利]半导体激光装置以及其制造方法无效
| 申请号： | 200410104664.9 | 申请日： | 2004-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1638214A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 山根启嗣;久米雅博;河田敏也;木户口勋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/00;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体激光装置，由下至上依次层叠有n型半导体基板、n型金属包层、活性层、p型第1金属包层、电流块层、p型第2金属包层以及p型接触层。在p型接触层上形成p侧欧姆电极，在n型半导体基板的背面上形成n侧欧姆电极。在电流块层上形成在光谐振器方向延伸的条纹、在p型接触层的光谐振器方向的中央部，形成与条纹正交的狭缝。这样，能够防止在安装工序中半导体激光装置内部的变形所引起的动作寿命下降和激光特性恶化，提供可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光装置，能够输出激光，其特征在于，在上面形成有从一端至另一端延伸的凹状狭缝。
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