[发明专利]动态随机存取存储器的存取控制方法有效
| 申请号： | 200410104125.5 | 申请日： | 2004-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1797376A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 卢盈志;余亮宏 | 申请（专利权）人： | 英业达股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/10 | 分类号： | G06F13/10;G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种动态随机存取存储器的存取控制方法，应用在设有至少一第一规格DRAM模块插槽或至少一第二规格DRAM模块插槽中的一种内存模块插槽、BIOS程序的基板，供该基板对第一DRAM模块或的第二DRAM模块进行存取控制，令该BIOS程序预存第一DRAM模块及第二DRAM模块相关数据；且接着令该基板根据该BIOS程序执行初始化程序，使该内存控制器DRAM模块进行存取，最后令该内存控制器判断DRAM模块相关资料，供内存控制器根据读取到的DRAM模块相关资料对安装在该DRAM模块插槽中的模块进行存取控制。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 存取 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种动态随机存取存储器的存取控制方法，应用在设有至少一第一规格DRAM模块插槽及至少一第二规格DRAM模块插槽中一种规格的插槽、内存控制器及基本输入输出系统程序的基板，供该基板对安装在该第一规格DRAM模块插槽的第一DRAM模块及安装在第二规格DRAM模块插槽的第二DRAM模块中的一种DRAM模块进行存取控制，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：令该BIOS程序预存第一DRAM模块及第二DRAM模块相关数据；令该基板根据该BIOS程序执行内存初始化程序；令该内存控制器在内存初始化程序中，对该基板上所设的DRAM模块插槽进行存取，并通过DRAM模块I2C地址读取DRAM模块储存的内存型号字段的资料值，得以判断安装在该DRAM模块插槽是第一DRAM模块及第二DRAM模块中的一种DRAM模块；以及令该内存控制器以该DRAM模块自该BIOS程序读取与该DRAM模块对应的DRAM模块相关资料，供内存控制器根据读取到的DRAM模块相关资料，对安装在该DRAM模块插槽中的DRAM模块进行存取控制。
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