[发明专利]发光二极管封装结构及其制作方法无效

专利信息
申请号: 200410103942.9 申请日: 2004-12-31
公开(公告)号: CN1801497A 公开(公告)日: 2006-07-12
发明(设计)人: 陈明鸿;温士逸;郭武政;陈炳儒;翁瑞坪;李孝文 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究所
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种发光二极管封装结构及其制作方法,利用由两层硅基材间夹有绝缘层的绝缘硅作为封装基板,然后,在绝缘硅基板的两层硅基材上分别制作凹槽反射座与可将绝缘硅基板分割出正负电极的隔绝槽,再制作多个金属导线电连接前述两层硅基材,即可将发光二极管芯片配置于凹槽反射座上并透过金属导线而电连接至绝缘硅基板的正负电极,可实现发光二极管的封装作业,并提高耐温性、散热性,以及简化制程。
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种发光二极管封装结构的制作方法,包括以下步骤:提供一绝缘硅基板,该绝缘硅基板由一第一硅基材与一第二硅基材及该第一硅基材与第二硅基材夹住的一绝缘层所构成;分别刻蚀该第一硅基材与该第二硅基材形成一凹槽反射座与一隔绝槽,该隔绝槽将该绝缘硅基板分隔出正负电极的接触面;在该绝缘硅基板形成多个金属导线;及在该绝缘硅基板的该凹槽反射座上配置一发光二极管芯片,该发光二极管的正负电极通过该金属导线分别电连接到该绝缘硅基板的正负电极。
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