[发明专利]用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法有效
| 申请号： | 200410103734.9 | 申请日： | 2004-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1648287A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 西村茂树 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C23F1/32 | 分类号： | C23F1/32;C23F1/40;H01L21/306 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液，该溶液的金属杂质污染极低，使用所述的碱蚀刻溶液能够提供极佳的表面平整度，本发明还涉及使用所述高纯度碱蚀刻溶液的碱蚀刻方法。本发明的用于蚀刻硅晶片的碱蚀刻溶液中含有40至60重量％的氢氧化钠和0.01至10重量％硝酸盐和/或亚硝酸盐，所述氢氧化钠含有：1ppb或更低的铜、镍、镁和铬元素；5ppb或更低的铅和铁元素；10ppb或更低的铝、钙和锌元素；1ppm或更低的氯化物、硫酸盐、磷酸盐、氮化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 晶片 纯度 溶液 方法 | ||
【主权项】：
1、一种碱蚀刻溶液，其含有氢氧化钠和0.01至20重量％的硝酸盐和/或亚硝酸盐，其中所述氢氧化钠为高纯度氢氧化钠，其含有：1ppb或更低的铜、镍、镁和铬元素；5ppb或更低的铅和铁元素；10ppb或更低的铝、钙和锌元素；1ppm或更低的氯化物、硫酸盐、磷酸盐、氮化合物。
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