[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号: | 200410103645.4 | 申请日: | 2004-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN1638139A | 公开(公告)日: | 2005-07-13 |
| 发明(设计)人: | 作劤爀 | 申请(专利权)人: | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B3/00;H04N5/335 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供了图像传感器及其制造方法,在本发明中,不是将传统的微透镜阵列设置于彩色滤镜阵列之上,而是将微透镜结构设置在彩色滤镜阵列之下,这样,可以缩短聚集的光到光电二极管的总传播距离,提高了最终到达光电二极管阵列的光的强度和聚焦,改善了图像传感器的低亮度性能。到达光电二极管阵列的光最小传播距离优化了聚集的光的强度和聚焦,显著地改善了图像传感器再现的图像的质量。 | ||
| 搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:彩色滤镜阵列,用于将外部光转换成色光;微透镜结构,位于所述彩色滤镜阵列之下,用于聚集通过所述彩色滤镜阵列的所述色光;光电二极管阵列,位于半导体衬底的有源区内,用于接收在所述微透镜结构处聚集的光,适于产生和储存光电荷;以及光透射层,位于所述光电二极管阵列之上,用于支撑所述微透镜结构和所述彩色滤镜阵列,并将在所述微透镜结构处聚集的光透射向所述光电二极管阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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