[发明专利]CMOS图像传感器、复位晶体管控制电路和电压切换电路无效
申请号: | 200410103587.5 | 申请日: | 2004-12-30 |
公开(公告)号: | CN1716622A | 公开(公告)日: | 2006-01-04 |
发明(设计)人: | 柳沢诚;水口寿孝;井上忠夫 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵淑萍 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明可以适用于下述CMOS图像传感器,在该CMOS图像传感器中,活动像素传感器阵列的每个像素电路包括用于将输入光转换成电的光电转换元件和用于控制对光电转换元件的复位电压供给的切换晶体管,所述复位电压用于将光电转换元件复位到预定电压。CMOS图像传感器包括控制电路,该控制电路用于分配施加到切换晶体管的控制电极上的控制信号。在光电转换元件的复位期的第一部分中,控制电路输出高于CMOS图像传感器的电源电压的第一电压,从而使得切换晶体管的ON电阻充分小,并且在光电转换元件的复位期的后面部分中输出低于CMOS图像传感器的电源电压的第二电压。 | ||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 复位 晶体管 控制电路 电压 切换 电路 | ||
【主权项】:
1.一种互补金属氧化物半导体图像传感器,其中活动像素传感器阵列的每个像素电路包括用于将输入光转换成电的光电转换元件和用于控制对所述光电转换元件的复位电压供给的切换晶体管,所述复位电压用于将所述光电转换元件复位到预定电压,所述互补金属氧化物半导体图像传感器包括控制电路,用于分配施加到所述切换晶体管的控制电极上的控制信号,其中在所述光电转换元件的复位期的第一部分中,所述控制电路输出高于所述互补金属氧化物半导体图像传感器的电源电压的第一电压,使得所述切换晶体管的导通电阻充分小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的