[发明专利]一种存储介质及其制备方法无效
| 申请号： | 200410103477.9 | 申请日： | 2004-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1797572A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;陈海峰;彭海琳;于学春;冉纯博;雷晓钧 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G11B9/10 | 分类号： | G11B9/10;G03G5/047 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储介质及其制备方法。本发明所提供的存储介质，是在电荷转移复合物上设有纳米尺度的信息孔阵，所述信息孔的直径为3－30nm；所述电荷转移复合物的电子受体为7，7，8，8－四氰基对亚甲基苯醌或其衍生物，所述电荷转移复合物的电子给体选自四硫富瓦烯、四硫富瓦烯衍生物、有机铵、烷基取代的吗啉、烷基取代的吡啶、有机磷化合物或有机硫化合物。按如下过程进行制备：将电荷转移复合物固定于扫描隧道显微镜上，启动扫描隧道显微镜的刻写模式，控制扫描隧道显微镜的针尖的运动，在电荷转移复合物和针尖之间施加电压脉冲，在电荷转移复合物上写入信息孔阵。本发明的存储介质具有存储密度高，稳定性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 介质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储介质，是在电荷转移复合物上设有纳米尺度的信息孔阵，所述信息孔的直径为3-30nm；所述电荷转移复合物的电子受体为7，7，8，8-四氰基对亚甲基苯醌或其衍生物，所述电荷转移复合物的电子给体选自四硫富瓦烯、四硫富瓦烯衍生物、有机铵、烷基取代的吗啉、烷基取代的吡啶、有机磷化合物或有机硫化合物。
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