[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200410103377.6 | 申请日： | 2004-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1734788A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李根洙;朴炳建 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括：绝缘衬底；和在衬底上形成的半导体层、栅绝缘层、栅电极、层间绝缘体以及源/漏电极，其中栅绝缘层由具有1到20埃厚度的过滤氧化物层形成。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，包括：绝缘衬底；以及形成在衬底上的半导体层、栅绝缘层、栅电极、层间绝缘体以及源/漏极，其中该栅绝缘层由具有1到20埃厚度的过滤氧化物层形成。
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