[发明专利]半导体激光二极管的MBE生长无效
| 申请号： | 200410102390.X | 申请日： | 2004-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1619904A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | S·胡帕;V·鲍斯奎特;K·L·约翰逊;M·考厄;J·赫弗南 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/343 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种以(Al，Ga，In)N材料系统制造连续波半导体激光二极管的方法包括：依次生长第一覆层区域(4)，第一光制导区(5)，有源区域(6)，第二光制导区(7)和一第二覆层(8)。该第一覆层区域(4)，该第一光制导区(5)，该有源区域(6)，该第二光制导区(7)和该第二覆层(8)中的每一个都是由分子束外延生长淀积的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 mbe 生长 | ||
【主权项】：
1.一种以(Al，Ga，In)N材料系统制造半导体发光器件的方法，该方法包括：在衬底上方依次生长第一覆层区域，第一光制导区，有源区域，第二光制导区和第二覆层区域；其中该方法包括通过分子束外延使用氨气作为氮前体来淀积该第一覆层区域，该第一光制导区，该有源区域，该第二光制导区和该第二覆层区域的每一个；其中该衬底选自由GaN衬底和GaN模板衬底构成的组；并且其中生长有源区域的步骤包括生长包含铟的层。
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