[发明专利]在基板上制造薄膜晶体管的方法

摘要

本发明关于一种在基板上制造薄膜晶体管的方法，包括施行一光刻工艺步骤以图案化三材料层，而形成一薄膜晶体管以及于一交错区域处跨越薄膜晶体管的栅极导线的一桥接结构，随后藉由图案化一导电金属，以形成上述薄膜晶体管的源极电极与漏极电极以及延伸于上述桥接结构之上的一连续的数据导线。

主权项

1、一种在基板上制造薄膜晶体管的方法，包括下列步骤：形成一第一导电金属层于一基板上；图案化并蚀刻该第一导电金属层，以形成多条具有栅电极的栅极导线以及多条对应的数据导线片段，其中于该些数据导线片段与该些栅极导线于交会处的交错区域内互相分隔；于该基板上形成一薄膜晶体管栅绝缘材料的第一材料层、一半导体材料的第二材料层以及一欧姆接触材料的第三材料层；图案化及蚀刻该第三材料层、该第二材料层以及该第一材料层以形成多个薄膜晶体管以及多个桥接结构，该些桥接结构横跨于该些交错区域内的栅极导线上方；形成一第二导电金属层于该基板上；图案化及蚀刻该第二导电金属层，以形成薄膜晶体管的源极电极以及漏极电极，以及形成多条延伸于该些桥接结构上的连续数据导线，以连接该些数据导线片段；形成一保护层于该基板上；图案化及蚀刻该保护层，以形成穿过该保护层至该源极电极的介层洞；以及形成一透明导电材料于该基板上，以形成像素电极以及储存电容器。