[发明专利]高速记忆体资料流动的控制方法有效
| 申请号： | 200410101987.2 | 申请日： | 2004-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1787109A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 袁德铭;沈俊吉 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C7/00;G11C8/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 吴林松 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高速记忆体资料流动的控制方法，主要可改善记忆体装置内的存取周期时间，该记忆体装置具有待命、读取以及写入三个运作状态；首先于待命状态期间，资料线路予以预充电，再于写入状态时，资料线路不进行预充电，然后，于读取状态时，该资料线路同样不进行预充电，从写入状态过渡至读取状态期间，资料线路进行预充电。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 记忆体 资料 流动 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高速记忆体资料流动的控制方法，其特征在于：其主要是于该记忆体装置的待命、读取以及写入三个运作状态时，使该记忆体装置内的资料线路得以预充电，该方法包括：a)于待命状态期间，资料线路予以预充电；b)于写入状态时，资料线路不进行预充电；c)于读取状态时，该资料线路同样不进行预充电；d)从写入状态过渡至读取状态期间，资料线路进行预充电。
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