[发明专利]应用于基于氮化镓材料的包封退火方法无效
| 申请号： | 200410101871.9 | 申请日： | 2004-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1801465A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 郑英奎;魏珂;和致经;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件工艺技术领域，特别是一种应用于基于氮化镓材料的包封退火方法。包括：步骤1：光学光刻形成电子束标记和源漏金属区，沉积欧姆接触金属；步骤2：于金属上沉积SiN或者SiO介质膜，厚度为3000；步骤3：退火，温度为700－730℃；步骤4：刻蚀介质去掉SiN或者SiO介质膜；步骤5：注入隔离；步骤6：电子束光刻栅版；步骤7：蒸发栅金属；步骤8：布线。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 基于 氮化 材料 退火 方法 | ||
【主权项】：
1、一种应用于基于氮化镓材料的包封退火方法，其特征在于，用形成器件中主要电气连接部分的金属代替标记金属，在同时制作完标记金属与源漏金属之后，于金属之上沉积介质，再进行退火工艺，该方法在制作HFET器件过程中包括如下步骤：步骤1：光学光刻形成电子束标记和源漏金属区，沉积欧姆接触金属；步骤2：于金属上沉积SiN或者SiO介质膜，厚度为3000；步骤3：退火，温度为700-730℃；步骤4：刻蚀介质去掉SiN或者SiO介质膜；步骤5：注入隔离；步骤6：电子束光刻栅版；步骤7：蒸发栅金属；步骤8：布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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