[发明专利]带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法

摘要

本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术，在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面，在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上，而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸，在n型区表面获得较高载流子浓度，从而形成良好的欧姆接触，对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面，还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力，减少剥离过程中的损伤，减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动，以保证剥离衬底而获得高性能的LED。

主权项

1.一种带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法，具体包括以下步骤：1)在蓝宝石衬底上进行网格状沟槽刻蚀；2)在带有网状沟槽的衬底上依次生长n型GaN、LED有源层、p型GaN，外延片还要进行常规的P型激活退火；3)在p-GaN上制备电极和反射层，采用多层金属复合结构；4)将上述带有P电极LED外延片键合在Si或Cu支撑衬底上，放置在真空室中抽走胶中气泡；5)激光剥离去除蓝宝石衬底；6)在n-GaN面上完成n电极制备；7)减薄、划片，制备成垂直电极结构的LED芯片。