[发明专利]薄膜气体传感器的制备方法无效
| 申请号： | 200410101832.9 | 申请日： | 2004-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1797805A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 刘晓娣;张大成;王玮;李婷;罗葵;田大宇 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L49/00 | 分类号： | H01L49/00;G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜气体传感器的制备方法，属于气体传感器工艺技术领域。该方法包括：基片清洗和腐蚀，采用溅射和剥离方法制备铬/铂电极，得到表面平整的带有电极图形的基片；在带有电极图形的基片上使用直流反应磁控技术淀积氧化锡纳米敏感薄膜，并且剥离薄膜敏感材料，使之图形化；高温退火后，划片、封装。由于在表面较平坦的基片上使用直流磁控反应溅射的方法制得氧化锡薄膜，薄膜敏感材料厚度及成分均匀可控、灵敏度高、响应快、一致性好、稳定性好。该制备加工方法对传感器自身的污染小、使用的薄膜材料较少，可降低对环境的污染、与集成电路工艺相兼容，工艺重复性好、适合于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 气体 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜气体传感器的制备方法，其步骤包括：(1)基片清洗和腐蚀，采用溅射和剥离方法制备铬/铂电极，得到表面平整的带有电极图形的基片；(2)在带有电极图形的基片上使用直流反应磁控技术淀积氧化锡纳米敏感薄膜，并且剥离薄膜敏感材料，使之图形化；(3)高温退火后，划片、封装。
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