[发明专利]场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明提供一种准SOI场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路技术(ULSI)领域。该方法首先采用常规的工艺方法，实现浅槽隔离，淀积并刻蚀栅材料及上面覆盖的硬掩膜材料，形成栅区，接着制备栅侧墙保护栅区；第二步刻蚀源漏区的硅至一定深度h1，接着淀积并刻蚀抗氧化的材料形成侧墙，然后刻蚀源漏区的硅材料至第二个深度h2，形成更深的硅槽，最后热氧化暴露的硅，在源区和漏区的槽中形成“L”型氧化硅层；第三步为制备源漏区，即先去掉抗氧化材料形成的侧墙，再淀积源漏材料，用平坦化的方法形成源漏区，从而实现了准SOI结构。本发明流程简单、工艺成本低廉、同时工艺集成也容易实现。

主权项

1、一种场效应晶体管的制备方法，其步骤包括：(1)采用常规的工艺方法，实现浅槽隔离，淀积并刻蚀栅材料及上面覆盖的硬掩膜材料，形成栅区，接着制备栅侧墙保护栅区，侧墙的厚度为L1；(2)刻蚀源漏区的硅至一定深度h1，接着淀积并刻蚀抗氧化的材料形成侧墙，厚度为L2，然后进一步刻蚀源漏区的硅材料至第二个深度h2，形成更深的硅槽，最后热氧化暴露的硅，得到包围源区和漏区的不相连的两个“L”型氧化硅层，“L”型氧化硅层的厚度为L3；(3)先去掉抗氧化材料形成的侧墙，再淀积源漏材料，形成源漏区。