[发明专利]一种GaN基LED高反电极

摘要

本发明涉及一种GaN基LED高反电极，属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构从下到上包括掺杂Mg的、器件发出的光从该层到达高反电极层，然后经电极反射再从该层返回器件内部的半导体GaN基底层(1)，欧姆接触层(6)，高反镜(3)，保护层(4)；其特征在于：所述的欧姆接触层(6)是位于基底层(1)与高反镜(3)之间的与基底直接接触的Ni和Mg金属固熔体层，在Ni和Mg金属固熔体层与高反镜之间是金属Pa层(7)。在电极保护层与高反镜之间有连接层Ti层(8)。该电极实现了接触电阻低，光吸收小，光的输出功率和热可靠性提高的效果，且制作简单。

主权项

1、一种GaN基LED高反电极，从下到上包括掺杂Mg的、器件发出的光从该层到达高反电极层，然后经电极反射再从该层返回器件内部的半导体GaN基底层(1)，欧姆接触层(6)，高反镜(3)，保护层(4)，其特征在于：所述的欧姆接触层(6)是位于基底层(1)与高反镜(3)之间的与基底直接接触的Ni和Mg的金属固熔体层，在金属固熔体层与高反镜之间是金属Pa层(7)。