[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供能在低温在扩散层上形成可充分地使用于升高的源漏技术的单晶层的半导体装置的制造方法。提供具备膜厚、膜质均匀的硅化物层的、将扩散层与电极的接触电阻维持得较低的、可进一步实现微细化的半导体装置。本发明的半导体装置的制造方法具备下述步骤：在半导体衬底10的表面12上形成栅绝缘膜20、在栅绝缘膜上形成栅电极60的步骤；在栅电极的两侧形成扩散层70、72的步骤；在扩散层上形成非晶质层100的步骤；通过半导体衬底的表面与非晶质层的边界向半导体衬底离子注入惰性物质的步骤；在低温对半导体衬底进行热处理、使非晶质层的一部分成为硅单晶层120的步骤；以及通过在单晶上溅射金属由单晶和金属来形成硅化物层130的步骤。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备下述步骤：在半导体衬底的表面上形成栅绝缘膜的步骤；在该栅绝缘膜上形成栅电极的步骤；在位于该栅电极两侧的上述半导体衬底中以自对准的方式形成扩散层的步骤；在上述扩散层中的上述半导体衬底的表面上形成非晶质层的非晶质层形成步骤；通过上述半导体衬底的表面与上述非晶质层的边界向上述半导体衬底离子注入惰性物质的注入步骤；通过在对上述半导体衬底进行热处理使上述非晶质层的一部分成为单晶层的热处理步骤；以及通过在上述单晶上溅射金属，由该单晶和该金属来形成硅化物层的步骤。