[发明专利]一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉

摘要

本发明属于晶体制备装置技术领域，涉及到一种制备氧化镁晶体的电熔装置，特别涉及到一种制备氧化镁晶体的控温电弧炉。本发明通过对保温材料，水冷设备，感温探头和计算机控制技术的综合运用来产生适宜晶体生长的温度场。依靠探头采集的数据和预先设定的温度场方程，计算机发出冷却机构和电弧功率和位置的控制信号并送到相应的执行机构，完成对炉内温度场的调节。本发明的效果和益处是依据本发明设计的电弧炉能够大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，同时提高了电能的利用率有效地降低了成本。另外，该技术也可用于生产其他高温晶体。

主权项

1.制备氧化镁晶体的控温电弧炉，由炉壳、电极(1)、电极控制机构(15)、水冷装置(10)、水冷装置升降机构(14)、感温探头(17)和控制计算机(16)组成，其特征是：(a).炉体侧壁由内保温层(6)，外保温层(8)和它们之间的气隙(7)构成，炉体下壁是由金属底板(9)构成；(b).内保温层的外表面，金属底板的下表面以及水冷装置的上表面均匀分布有感温探头(17)；(c).根据控制计算机发出的控制信号，布置在炉底的水冷装置在水冷装置升降机构(14)的驱动下实现与金属底板的接触与分离。