[发明专利]半导体存储器件的读出放大器控制电路无效
| 申请号： | 200410100392.5 | 申请日： | 2001-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1624796A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 加藤大辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C7/08 | 分类号： | G11C7/08;G11C11/4063;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种用在半导体存储器件中的读出放大器控制电路，包括构成读出放大器的锁存型差分放大器；和将锁存型差分放大器的公用源线连接到恢复电源线的设置驱动器，所述恢复电源线是用于使位线为写入电位的电源线；其中，构成所述锁存型差分放大器的各晶体管为第一导电类型的第一晶体管；以及构成对应于所述锁存型差分放大器的所述设置驱动器的晶体管为第二导电类型的第二晶体管，所述第二晶体管配置在与配置所述第一晶体管的阱相邻的阱中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 读出 放大器 控制电路 | ||
【主权项】：
1.一种用在半导体存储器件中的读出放大器控制电路，包括：构成读出放大器的锁存型差分放大器；和将锁存型差分放大器的公用源线连接到恢复电源线的设置驱动器，所述恢复电源线是用于使位线为写入电位的电源线；其中，构成所述锁存型差分放大器的各晶体管为第一导电类型的第一晶体管；以及构成对应于所述锁存型差分放大器的所述设置驱动器的晶体管为第二导电类型的第二晶体管，所述第二晶体管配置在与配置所述第一晶体管的阱相邻的阱中。
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