[发明专利]高频切换晶体管

摘要

一种高频切换晶体管，包括集极区域，其具有第一传导型态，于该集极区域上形成边界的第一阻障区域，其具有不同于该第一导电型态的第二导电型态，以及于该第一阻障区域上形成边界的半导体区域，其具有较该第一阻障区域之一掺质浓度为低的掺质浓度。再者，该高频切换晶体管具有于该半导体区域上形成边界的第二阻障区域，其具有第一传导型态，以及于该第二阻障区域上形成边界的基极区域，其具有第二导电型态。此外，该高频切换晶体管包括于该半导体区域上形成边界的第三阻障区域，其具有该第二导电型态，以及较该半导体区域为高的掺质浓度。更进一步该高频切换晶体管具有于该第三阻障区域上形成边界的射极区域，而其则是具有该第一导电型态。

主权项

1.一种高频切换晶体管(100)，包括：一集极区域(104)，其具有一第一传导型态；于该集极区域(104)上形成边界的一第一阻障区域(108)，其具有不同于该第一导电型态的一第二导电型态；于该第一阻障区域(108)上形成边界的一半导体区域(114)，其具有较该第一阻障区域(108)的一掺质浓度为低、或是等于零的一掺质浓度；于该半导体区域(114)上形成边界的一第二阻障区域(120)，其具有一第一传导型态；于该第二阻障区域(120)上形成边界的一基极区域(122)，其具有该第二导电型态；于该半导体区域(114)上形成边界的一第三阻障区域(128)，其具有该第二导电型态，以及一较该半导体区域(114)为高的掺质浓度；以及于该第三阻障区域(128)上形成边界的一集极区域(130)，其具有该第一导电型态。