[发明专利]薄膜晶体管元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410100242.4 | 申请日： | 2004-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1622340A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 甘丰源;林汉涂 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/28;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种薄膜晶体管元件及其制造方法。一金属栅极，形成于部分的一玻璃基板上方。一氧化钒层，形成于金属栅极与基板之间以及/或形成于金属栅极与栅极绝缘层之间。一栅极绝缘层，形成于氧化钒层上。一半导体层，形成于栅极绝缘层上。一源极与一漏极，形成于部分半导体层上。根据本发明，金属栅极与玻璃基板之间的附着性可通过氧化钒层而获得改善。还有，当在进行后续的淀积绝缘层的等离子工艺时，金属栅极能通过氧化钒层的保护而不会受到损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管元件，包括：一栅极，位于部分的一基板上方；一栅极绝缘层，位于该栅极上方；一氧化钒层，位于该栅极与该基板之间以及/或位于该栅极与该栅极绝缘层之间；一半导体层，位于该栅极绝缘层上；以及一源极与一漏极，位于部分该半导体层上。
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