[发明专利]向半导体非挥发性存储器的信息的记录方法

摘要

本发明是关于一种向半导体非挥发性存储器的信息的记录方法，是一种电流效率良好地对半导体非挥发性存储器元件进行信息记录的方法。电荷积蓄部被设置于电阻变化部上，并含有绝缘层且可积蓄电荷。当在藉由预先于电荷积蓄部中积蓄电荷而使信息被消去的半导体非挥发性存储器中记录信息时，如第1导电型为p型且第2导电型为n型，则包括在一主电极区域上施加正的高电压的步骤、使另一主电极区域为接地电压的步骤、在控制电极上施加使沟道形成区域进行弱反相的正电压的步骤。

主权项

1、一种向半导体非挥发性存储器的信息的记录方法，半导体非挥发性存储器包括：晶体管，具有控制电极，通过第1绝缘膜被设置在第1导电型的半导体基板上；以及第1主电极区域及第2主电极区域，为前述半导体基板的表面区域，且为在夹持前述控制电极的位置上所设置的一对与前述第1导电型不同的第2导电型杂质的扩散区域；第2导电型电阻变化部，被设置在前述半导体基板的表层区域中，由前述第1及第2主电极区域中的至少一个电极区域和与前述控制电极对向的沟道形成区域所夹持的部分，且杂质浓度较前述一电极区域低；以及电荷积蓄部，被设置于该电阻变化部上，并含有绝缘层且可积蓄电荷的半导体非挥发性存储器；当在藉由预先积蓄电荷而使信息被消去的半导体非挥发性存储器中记录信息时，其特征在于其包括以下步骤：如前述第1导电型为p型且前述第2导电型为n型，包括：在前述一电极区域上施加正的高电压的步骤；使前述另一电极区域为接地电压的步骤；以及在前述控制电极上施加使前述沟道形成区域进行弱反相的正电压的步骤；如前述第1导电型为n型且前述第2导电型为p型，则包括：在前述一电极区域上施加负的高电压的步骤、使前述另一电极区域为接地电压的步骤、在前述控制电极上施加使前述沟道形成区域进行弱反相的负电压的步骤。