[发明专利]降级动态随机存取存储器应用于电子装置的方法及其电子装置无效

专利信息
申请号: 200410098302.3 申请日: 2004-12-03
公开(公告)号: CN1783023A 公开(公告)日: 2006-06-07
发明(设计)人: 叶垂奇 申请(专利权)人: 其乐达科技股份有限公司
主分类号: G06F11/00 分类号: G06F11/00;G06F11/26;G06F12/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王英
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种应用降级DRAM的电子装置,包含一个处理单元、一个降级DRAM以及一个存储器。该处理单元用来执行所述电子装置的运算工作;该降级DRAM用来供该处理单元暂存数据,其具有可供使用及无法使用的存储器区块;该存储器用来储存一个可使用的DRAM映射,该可使用的DRAM映射记录了该降级DRAM中可供使用的存储器区块,而该处理单元则根据该可使用的DRAM映射存取该降级DRAM中可供使用的存储器区块。此外也公开了一种将降级DRAM应用于电子装置的方法,所述方法可以简化降级DRAM的前处理步骤及电子装置的组装程序以降低生产成本。
搜索关键词: 降级 动态 随机存取存储器 应用于 电子 装置 方法 及其
【主权项】:
1、一种应用降级DRAM的电子装置,包含:一个处理单元,用来执行运算工作;一个降级DRAM,其与所述处理单元信号连接,供所述处理单元暂存数据,并且所述降级DRAM具有可供使用及无法使用的存储器区块;以及一个存储器,其与所述处理单元信号连接,用来储存一个可使用的DRAM映射,所述可使用的DRAM映射记录所述降级DRAM中可供使用的存储器区块,而所述处理单元则根据所述可使用的DRAM映射存取所述降级DRAM。
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