[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410098024.1 | 申请日： | 2004-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1624879A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 柴田和孝 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种通过在半导体基板的背面侧形成薄的树脂层，从而可以防止半导体基板的翘曲，可以良好地进行半导体基板的薄型化(表面磨削处理)，并且，由此可以降低半导体装置中产生的裂纹或损害的半导体装置的制造方法和制造装置。其特征在于，具有：半导体基板(1)；形成于半导体基板(1)的一个表面上的突起电极(2)或配线中的至少一方，同时，具有：形成于半导体基板(1)的一个表面上的第一树脂膜(3)和形成于半导体基板(1)的另一表面上的第二树脂膜(4)，第二树脂膜(4)具有吸收对该半导体基板(1)的另一个表面的冲击程度的低弹性，并且比半导体基板的厚度还薄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：具有第一面和第二面的半导体基板；形成于所述半导体基板的第一面上的第一树脂膜；和形成于所述半导体基板的第二面上的第二树脂膜，在所述半导体基板上形成突起电极或配线，所述第二树脂膜具有可吸收对所述半导体基板的第二面的冲击的低弹性树脂，所述第二树脂膜比半导体基板还薄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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