[发明专利]半导体芯片及其制造方法、和半导体装置

摘要

一种半导体芯片的制造方法，包括：从具有表面及背面并在上述表面形成有功能元件的半导体基板的上述表面，形成向该半导体基板的厚度方向延伸的凹部的工序；向上述凹部的内壁面供给不活泼的第1金属材料而形成氧化防止膜的工序；在该形成氧化防止膜的工序后，向上述凹部内供给含有比上述第1金属材料易氧化的金属的第2金属材料的工序；电连接上述第2金属材料与上述功能元件的工序；在残留上述氧化防止膜的状态下，从其背面去除上述半导体基板，使之变得比上述凹部的深度薄，将上述凹部形成为贯通基板的贯通孔，将上述第2金属材料形成为电连接上述表面侧与上述背面侧的贯通电极，同时形成为从上述背面侧突出的背面侧突起电极的薄型化工序。

主权项

1.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，包括：从具有表面及背面并在上述表面形成有功能元件的半导体基板的上述表面，形成向该半导体基板的厚度方向延伸的凹部的工序；向上述凹部的内壁面供给不活泼的第1金属材料，形成由该第1金属材料构成的氧化防止膜的工序；在该形成氧化防止膜的工序后，向上述凹部内供给含有比上述第1金属材料易氧化的金属的第2金属材料的工序；电连接向上述凹部内供给的第2金属材料与上述功能元件的工序；在残留上述氧化防止膜的状态下，将上述半导体基板从其背面去除，使其厚度变得比上述凹部的深度薄，将上述凹部形成为沿厚度方向贯通上述半导体基板的贯通孔，将配置在上述凹部内的上述第2金属材料形成为电连接上述半导体基板的上述表面侧与上述背面侧的贯通电极，同时，形成为从上述半导体基板的上述背面侧突出的背面侧突起电极的薄型化工序。