[发明专利]显示器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410097474.9 | 申请日： | 1993-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1607875A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | 宫崎稔;A·村上;崔葆春;山本睦夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H05B33/12 | 分类号： | H05B33/12;H05B33/26;H05B33/08;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100－750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示器件，它包括：在基片上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源区和漏区；和包括导电氧化物膜的像素电极，所述像素电极通过电极电连接到所述源区和所述漏区中的一个，所述电极包括与所述源区和所述漏区中的一个接触的第一层，形成在所述第一层之上的第二层，及形成在所述第二层之上并与所述像素电极接触的的第三层，其中所述第一层具有隔离特性，所述第二层包括铝，且所述第三层具有隔离特性。
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