[发明专利]偏移结合的多芯片半导体器件无效
| 申请号： | 200410097385.4 | 申请日： | 2004-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1622326A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 川野连也;松井聪 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于以高可靠性的方式结合下部芯片和上部芯片，同时通过相对下部芯片偏移该上部芯片保证用于外部连接引脚区域的足够面积。基板(2)具有布置在其一个表面上的凸起(1)，并具有贴装在其另一表面上的第一芯片(3)。当相对第一芯片(3)平行偏移第二芯片(4)时，通过凸起(5、6)结合第二芯片(4)到第一芯片(3)。在第一芯片(3)和第二芯片(4)的结合状态中，第一芯片(3)的一部分和第二芯片(4)的一部分重叠而二者的中心不对准。第二芯片(4)的重心落在第一芯片(3)和第二芯片(4)之间的最外面的凸起所包围的区域内。 | ||
| 搜索关键词： | 偏移 结合 芯片 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有：第一半导体元件和堆叠在其上的第二半导体元件而二者的中心不对准，并且形成在所述第一半导体元件上的电极通过凸起在重叠区域内连接到形成在所述第二半导体元件上的电极，其中所述第二半导体元件的重心落在由结合所述第一半导体元件和所述第二半导体元件的所述凸起的最外面的凸起所包围的第一凸起区域内。
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