[发明专利]具有不可见电极的透明元件的制造方法有效
| 申请号： | 200410097002.3 | 申请日： | 2004-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1636914A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | J·格鲁普;G－C·波利 | 申请（专利权）人： | 阿苏拉布股份有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34;C03C17/23;C03C15/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 一种制造具有不可见电极的透明元件的方法。在由蓝宝石或者钢化玻璃形成的透明基片(3)的一面上，形成由如ITO的透明导电氧化物形成的导电图形，所述图形包括电极(2)和导电路径(4)；然后，覆盖低折射率的第一透明电介质层(5)，如MgF2或LiF2；接着覆盖折射率比第一层高的另一种第二透明电介质层(7)，如AL2O3、Ta2O5或DLC。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可见 电极 透明 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有不可见电极的透明元件(1)的方法，所述元件由在其一面上具有导电图形的透明基片(3)形成，所述导电图形由电极(2)、导电路径(4)和接触区域(6)形成，所述方法的特征在于，其包括以下步骤：在所述基片(3)的整个表面上沉积透明导电氧化物膜(TCO)，利用通过掩模的侵蚀方法，去除所有不形成所述导电图形(2、4、6)的TCO区域，然后去除所述掩模的残留部分；沉积低折射率(L)的第一透明电介质材料层(5)；沉积折射率(H)比所述第一层高的另一种第二透明电介质材料层。
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