[发明专利]一种可以改善半导体晶片几何参数的晶片加工方法

摘要

本发明公开了一种可以改善半导体晶片几何参数的晶片加工方法。该方法采用至少两组厚度递减的游星片对待加工晶片进行分次研磨；每次研磨过程中，在将晶片研磨到与游星片厚度相等后继续研磨一段附加研磨时间。通常，厚度相邻的两组游星片的厚度差在5～30微米之间；附加研磨时间可以在1～30分钟范围内选择。在更换游星片时，将晶片翻面可以使研磨效果更好。采用该方法加工晶片，不但可以有效地改善晶片的厚度偏差和平整度，还可以改善晶片的弯曲度和翘曲度等参数。

主权项

1、一种可以改善半导体晶片几何参数的晶片加工方法，其特征在于，采用至少两组厚度递减的游星片对待加工晶片进行分次研磨；每次研磨过程中，在将晶片研磨到与游星片厚度相等后继续研磨一段附加研磨时间；所述晶片加工方法具体包括以下步骤：(1)测量晶片初始厚度T0，根据其与最终要求厚度的差确定选用的游星片的组数N，N为大于等于2的整数；(2)将厚度为T1的、最接近厚度T0的第一游星片放在双面研磨机上，再将晶片放入该游星片的片孔内进行研磨，研磨时间为t1+t01，其中t1为将晶片研磨到与该游星片厚度T1相等时的时间，t01为第一附加研磨时间；(3)取下晶片和第一游星片，换上下一档厚度为T2的第二游星片，将晶片放入该游星片的片孔内继续研磨，研磨时间为t2+t02，其中t2为将晶片研磨到与该游星片厚度T2相等时的时间，t02为第二附加研磨时间；(4)重复上述步骤，直至换上与最终要求厚度一致的、厚度为TN的第N游星片，将晶片放入该游星片的片孔内继续研磨，研磨tN+t0N时间，其中tN为将晶片研磨到与该游星片厚度TN相等时的时间，t0N为第N附加研磨时间。