[发明专利]具有栅极电介质结构易失性存储器的晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200410096815.0 | 申请日： | 2004-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1674299A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李相敦;金一旭;安进弘;朴荣俊 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/108;H01L21/336;H01L21/822;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及具有能捕获电荷的栅极电介质结构的易失性存储器的晶体管及其制造方法。该易失性存储器的单元区域中的晶体管包括：第一导电型基板；能捕获电荷并形成在所述基板上的栅极电介质结构；形成在所述栅极电介质结构上的栅极；形成在所述栅极上的栅极绝缘层；形成在所述栅极的每个侧面下的基板的预定区域中的第二导电型源极/漏极；形成在所述栅极下的基板的预定区域中的第一导电型沟道离子注入区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 电介质 结构 易失性 存储器 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，位于易失性存储器器件的单元区域中，该晶体管包括：第一导电型基板；能捕获电荷且形成于基板上的栅极电介质结构；形成在栅极电介质结构上的栅极；形成在栅极上的栅极绝缘层；形成在栅极的每一侧面下的基板的预定区域中的第二导电型源极/漏极；和形成在栅极下的基板的预定区域中的第一导电型沟道离子注入区域。
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