[发明专利]用于半导体器件的电镀方法无效
| 申请号： | 200410096560.8 | 申请日： | 2004-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1637169A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 木下满;平野次彦;高桥胜则 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种电镀方法，包括将待镀体浸入包含锡和铋的镀覆溶液中，以便在该体的表面上形成锡－铋合金表层。进行镀覆使得放置在镀覆溶液中的固体锡金属和固体铋金属与阳极连接，并且待镀覆体与阴极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 电镀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电镀方法，包括在包含锡和铋的镀覆溶液中浸入待镀体，以便在所述体的表面上形成锡-铋合金表层，其中放置在所述镀覆溶液中的固体锡金属和固体铋金属分别与阳极连接，并且所述体与阴极连接。
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