[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、使用该薄膜晶体管的平板显示器无效
| 申请号： | 200410096229.6 | 申请日： | 2004-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1622339A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 具在本;李相杰 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;G02F1/133;G09F9/30;G09G3/36;G09G3/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种带有GOLDD结构的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括有源层，该有源层形成在绝缘衬底上并且具有源极/漏极区域和沟道区域。栅极绝缘薄膜可形成在有源层上，栅极电极可形成在该栅极绝缘薄膜上。该栅极电极可包括第一栅极图案和在该第一栅极图案侧面形成的第二栅极图案。源极/漏极区域可各具有LDD区域，该LDD区域可与所述栅极电极重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 使用 平板 显示器 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，包括：有源层，该有源层形成在绝缘衬底上，并且具有源极/漏极区域和沟道区域；形成在所述有源层上的栅极绝缘薄膜；和形成在该栅极绝缘薄膜上的栅极电极，该栅极电极包括第一栅极图案和在该第一栅极图案侧面形成的第二栅极图案，其中，源极/漏极区域包括轻微掺杂的漏极(LDD)区域，该轻微掺杂的漏极区域与所述栅极电极重叠。
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