[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410096017.8 | 申请日： | 2004-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1630029A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 山野孝治 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/301;H01L21/28;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件及其制造方法。通过研磨半导体晶片的背面(与形成多个器件并进而形成金属柱的一面相对)而将其减薄到预定厚度，然后在研磨后的一面形成由具有与半导体晶片接近的线性热膨胀系数的金属构成的金属层。进而，利用树脂密封半导体晶片，把金属突起焊接到金属柱(势垒金属层)的顶部，然后把半导体晶片分割成各个半导体器件。使用硅作为半导体晶片的材料，使用钨或钼作为构成金属层的金属。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体晶片的形成多个器件的一侧表面上形成绝缘膜，所述绝缘膜具有露出各个器件的电极焊盘的开口部分；在所述绝缘膜上形成导体层，所述导体层被构图成所需的形状以覆盖露出电极焊盘的开口部分；在所述导体层上形成保护层，所述保护层具有露出所述导体层的端子形成部分的开口部分；使用所述保护层作为掩模，在所述导体层的端子形成部分中形成金属柱；通过研磨所述半导体晶片的与形成所述金属柱的表面相对的一面，把所述半导体晶片减薄到预定厚度；去除所述保护层之后，在所述半导体晶片的研磨后的表面上形成金属层，所述金属层由具有与所述半导体晶片接近的线性热膨胀系数的金属构成；使用密封树脂密封所述晶片的表面，并露出所述金属柱的顶部；在所述金属柱的顶部焊接金属突起；以及把焊接了金属突起的半导体晶片分割成各个器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
