[发明专利]非易失性半导体存储器无效
| 申请号： | 200410095461.8 | 申请日： | 2004-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1645515A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 梶本实利;野口充宏;前嶋洋;原毅彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的一种非易失性半导体存储器，包括：存储单元部件，其包括彼此平行形成的数据选择线、与数据选择线相交并彼此平行排列的数据传输线以及设置在数据传输线与数据选择线的交叉点处的电可重写存储单元晶体管。还包括：其中沿着数据选择线设置存储单元部件的存储单元阵列块；第一源极线，连接到存储单元部件的一端，并沿着数据选择线排列；以及第二源极线，电连接到第一源极线并沿着数据选择线设置。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器，包括：存储单元部件，包括平行的数据选择线、与数据选择线相交并彼此平行排列的数据传输线以及设置在数据传输线与数据选择线的交叉点处的电可重写存储单元晶体管；存储单元阵列块，其中沿着数据选择线设置存储单元部件；第一源极线，连接到存储单元部件的一端，并沿着数据选择线排列；以及第二源极线，电连接到第一源极线并沿着数据选择线设置。
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