[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410095406.9 | 申请日： | 2004-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1670915A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 大沼英人;坂仓真之;三谷康弘;松尾拓哉;北角英人 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有抑制了空腔产生的结晶半导体膜的半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成非晶硅膜；将诸如Ni的用于促进该非晶硅膜结晶的金属元素添加到非晶硅膜上，进行热处理以使该非晶硅膜结晶，由此在该衬底上形成结晶硅膜；通过含有机溶剂和氟化物的溶液去除在该结晶硅膜的表面上由于热处理形成的氧化硅膜；以及将激光或强光照射到该结晶硅膜上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底之上形成含硅的非晶膜；将用于促进该非晶膜结晶的金属元素添加到该非晶膜上；对该非晶膜进行热处理以使该非晶膜结晶，由此在该衬底之上形成结晶半导体膜；以及通过含有机溶剂和氟化物的溶液去除在该结晶半导体膜的表面上由于热处理形成的氧化硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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