[发明专利]电介质瓷器组合物、电子部件和它们的制造方法有效
申请号: | 200410095402.0 | 申请日: | 2004-12-17 |
公开(公告)号: | CN1790568A | 公开(公告)日: | 2006-06-21 |
发明(设计)人: | 佐佐木洋;丹羽康夫;渡边松巳 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曹雯;庞立志 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种电介质瓷器组合物的制造方法,制造具有用结构式[(CaxSr1-x)O] m[(TiyZr1-y-zHfz)O2]表示的电介质氧化物、氧化锰、氧化铝、烧结助剂的电介质瓷器组合物,上述结构式中的表示组成摩尔比的符号x、y、z、m为0.5≤x≤1.0、0.01≤y≤0.10、0<z≤0.20、0.90≤m≤1.04,其特征在于,使用烧结助剂制造电介质瓷器组合物,所述烧结助剂具有:以SiO2作为主要成分,还包含MO(其中,M是Ba、Ca、Sr和Mg的至少一种),第一玻璃组合物;其构成包括B2O3、Al2O3、ZnO和SiO2,具有1.5μm以下的平均粒径的第二玻璃组合物。根据该发明,能够提供一种即使在低温中煅烧也不损伤各种电学特性而能得到致密的电介质瓷器组合物的电介质瓷器组合物的制造方法。 | ||
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【主权项】:
1.一种电介质瓷器组合物的制造方法,所述瓷器组合物具有用结构式[(CaxSr1-x)O]m[(TiyZr1-y-zHfz)O2]表示的电介质氧化物、氧化锰、氧化铝、烧结助剂,上述结构式中表示组成摩尔比的符号x、y、z、m为0.5≤x≤1.0、0.01≤y≤0.10、O<z≤0.20、0.90≤m≤1.04,其特征在于,该方法中使用如下的烧结助剂制造电介质瓷器组合物,所述烧结助剂具有:以SiO2作为主要成分,并含MO的第一玻璃组合物,其中,M是Ba、Ca、Sr和Mg中的至少一种;和其构成包括B2O3、Al2O3、ZnO和SiO2,具有1.5μm以下的平均粒径的第二玻璃组合物。
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