[发明专利]厚铝的高精度干法刻蚀方法无效
| 申请号： | 200410095295.1 | 申请日： | 2004-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1778993A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 杨荣;李俊峰;柴淑敏;赵玉印;蒋浩杰;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00;G03F7/20;G03F7/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于厚铝的高精度干法刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在表面覆盖有绝缘介质的硅片上，依次溅射一层金属铝层、淀积一层二氧化硅层和旋涂一层光刻胶层；步骤2：光刻铝版，显影露出待刻蚀区域的二氧化硅层；步骤3：反应离子刻蚀二氧化硅层；步骤4：反应离子刻蚀金属铝层；步骤5：去光刻胶层。 | ||
| 搜索关键词： | 高精度 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于厚铝的高精度干法刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在表面覆盖有绝缘介质的硅片上，依次溅射一层金属铝层、淀积一层二氧化硅层和旋涂一层光刻胶层；步骤2：光刻铝版，显影露出待刻蚀区域的二氧化硅层；步骤3：反应离子刻蚀二氧化硅层；步骤4：反应离子刻蚀金属铝层；步骤5：去光刻胶层。
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