[发明专利]铌酸锂基板及其制造方法有效
| 申请号: | 200410095073.X | 申请日: | 2004-11-23 |
| 公开(公告)号: | CN1621578A | 公开(公告)日: | 2005-06-01 |
| 发明(设计)人: | 梶谷富男;角田隆 | 申请(专利权)人: | 住友金属矿山株式会社 |
| 主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;H01L41/02;H01L41/22;H03H9/02;C01G33/00 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 经志强;潘培坤 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种利用由佐科拉尔斯基法培育成的铌酸锂结晶,制造铌酸锂基板的方法,其特征在于,在将铌酸锂结晶,埋入到由Al、Ti、Si、Ca、Mg、C构成的组中选择出来的至少一种元素构成的粉末中的状态下,或者,容纳到由Al、Ti、Si、Ca、Mg、C构成的组中选择出来的至少一种元素构成的容器中的状态下,在300℃及其以上、不足于500℃的温度下,进行热处理。 | ||
| 搜索关键词: | 铌酸锂基板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种铌酸锂基板,其特征在于,该铌酸锂基板具有热过程,该热过程为,在埋入到由Al、Ti、Si、Ca、Mg、C构成的组中选择出来的至少一种元素构成的粉末中的状态下,或者,在容纳到由Al、Ti、Si、Ca、Mg、C构成的组中选择出来的至少一种元素构成的容器中的状态下,在300℃及其以上、不足于500℃的温度下,进行热处理。
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