[发明专利]FinFET的制作方法以及至少包含一个FinFET的集成电路

摘要

借助于在半导体晶片中确定一组鳍；在鳍上淀积栅材料；确定其厚度足以承受稍后的各个腐蚀步骤的栅硬掩模；腐蚀硬掩模外面的栅材料以便形成栅；在栅和鳍上淀积绝缘体共形层；各向异性地腐蚀绝缘体直至鳍上的绝缘体被向下清除到衬底，硬掩模具有的厚度使部分硬掩模保留在栅上方和栅侧壁上；以及在栅被硬掩模保护的情况下在暴露的鳍中形成源区和漏区，制造了自对准的FinFET。

主权项

1.一种制作FinFET的方法，它包含下列步骤：在衬底上形成一组至少一个半导体鳍；在所述鳍组上形成栅绝缘体；在所述鳍组上淀积栅材料层；在所述栅材料层上形成硬掩模，它垂直于所述鳍组延伸且具有硬掩模厚度；将所述硬掩模外面的所述栅材料向下腐蚀到所述衬底，从而形成栅，此栅与所述鳍组相交并在所述栅下方的所述鳍中确定本体区域；淀积包围所述栅的绝缘体共形层；对所述共形层执行各向异性腐蚀，从而在所述栅仍然被所述绝缘体共形层覆盖的情况下，暴露所述鳍组；以及在所述鳍中形成由所述绝缘体共形层从所述栅隔开的源区和漏区。