[发明专利]具有不同的源极和漏极延伸部分间隔的互补晶体管

摘要

本发明公开了一种在同一衬底上形成集成电路结构的方法，该结构具有第一类型的晶体管，比如P型场效应晶体管(PFET)和互补的第二类型的晶体管，比如N型场效应晶体管(NFET)。具体而言，本发明在所述衬底上在沟道区域上方形成栅极导体，邻近所述栅极导体侧壁间隔件，和在衬底上形成源极和漏极延伸部分。所述侧壁间隔件在PFET中比在NFET中更大(从栅极导体延伸更远)。所述侧壁间隔件在注入过程中使源极和漏极延伸部分对准。所以，当与NFET相比时，对于PFET来说，较大的侧壁间隔件使源极和漏极注入物远离沟道区域定位。然后，在随后的退火工艺中，更快移动的PFET杂质将限制扩散过远进入栅极导体下方的沟道区域内。这样避免当源极和漏极杂质延伸过远到栅极导体下方，使沟道区域短路时，出现的短沟道效应。

主权项

1.一种集成电路结构，包含：在同一衬底上形成的第一类型的晶体管和第二类型的晶体管，其中所述第一类型的晶体管和所述第二类型的晶体管包含：在所述衬底中的沟道区域上方的栅极导体；邻近所述栅极导体的侧壁间隔件；以及在所述沟道区域的相对侧上的源极和漏极延伸部分，其中所述侧壁间隔件在所述第一类型的晶体管中比在所述第二类型的晶体管中更大。